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用于电子光学器件的半导体电路及其制造方法

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在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×10

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公开/公告号CN1545144A

专利类型发明专利
公开/公告日2004-11-10

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社半导体能源研究所;
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申请/专利号CN200410043530.0
发明设计人山崎舜平;寺本聪;
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申请日1995-08-29
分类号H01L29/786;H01L29/12;H01L27/02;H01L21/00;G02F1/133;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人梁永
地址日本神奈川县
入库时间 2023-12-17 15:34:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/786 授权公告日:20080402 终止日期:20130829 申请日:19950829

专利权的终止
2008-04-02

授权

授权
2005-01-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-11-10

公开

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