法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-29
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C07D491/14 变更前: 变更后: 申请日:20030325
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2007-10-10
专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20070831 申请日:20030325
专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2006-07-26
专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20060616 申请日:20030325
专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2005-09-14
授权
授权
2004-12-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-09-29
公开
公开
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机译: 高纯度钇,高纯度钇的制备工艺,高纯度钇溅射靶,沉积有高纯度钇靶的金属栅膜,以及装有金属栅膜的半导体元件和器件
机译: 高纯度钇,高纯度钇的制备工艺,高纯度钇溅射靶,沉积有高纯度钇靶的金属栅膜,以及装有金属栅膜的半导体元件和器件
机译: 高纯度钇,高纯度钇的制备工艺,高纯度钇溅射靶,沉积有高纯度钇靶的金属栅膜,以及装有金属栅膜的半导体元件和器件