具有在位线方向延伸以接触存储节点的接触体的半导体器件的制造方法

摘要

一种具有在位线方向延伸以接触存储节点的接触体的半导体器件的制造方法，包括通过有选择地刻蚀覆盖位线的绝缘层形成带型开口。带型开口在栅极线的纵向延伸，以便露出第一接触焊盘和具有在位线的纵向突出的部分。方法还包括在绝缘层上形成填充带型开口和电连接到第一接触焊盘的导电层。然后构图导电层以将导电层分为在位线的纵向延伸的单个存储节点接触体。然后在存储节点接触体上形成存储节点。