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电子束聚焦设备及使用该设备的电子束投影微影系统

摘要

一种电子束聚焦设备在电子束投影微影系统中控制由发射器发射的电子束的路径,该设备有:顶部和底部磁铁,放在装晶片真空室的上面和下面,顶部和底部磁铁产生真空室内的磁场;上部和下部磁极片,从真空室顶部和底部伸出,与底部和底部磁铁磁性地接触;及上部和下部环形伸出部,从上部和下部磁极片相互面对的表面上伸出。所述微影系统包括:围出一放置一晶片空间的真空室;发射器,它在真空室内以预定距离对着晶片分开地设置,发射电子束到晶片上;及有上述结构的电子束聚焦设备。电子束聚焦设备及使用该设备的所述影微影系统能在晶片和电子束发射器之间提供均匀的电/磁场并减小由于真空室振动引起的电子束路径的弯曲。

著录项

  • 公开/公告号CN1527358A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN03159790.4

  • 发明设计人 文昌郁;柳寅儆;金东煜;

    申请日2003-09-25

  • 分类号H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人马高平

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 15:30:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-12-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/027 授权公告日:20080625 终止日期:20091026 申请日:20030925

    专利权的终止

  • 2008-06-25

    授权

    授权

  • 2006-04-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-09-08

    公开

    公开

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