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公开/公告号CN1505768A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 纳幕尔杜邦公司;
申请/专利号CN02808768.2
发明设计人 S·J·卡拉茨;S·M·卡纳;
申请日2002-01-09
分类号G02F1/01;G02F1/065;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人周慧敏
地址 美国特拉华州威尔明顿
入库时间 2023-12-17 15:26:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-07-12
发明专利申请公布后的视为撤回
2004-08-25
实质审查的生效
2004-06-16
公开
机译: 波导弯曲损耗引起的可变光衰减器
机译: 通过波导弯曲损耗调制实现的可变光学衰减
机译:使用SiGe / Si线波导结构的节能光开关和可变光衰减器
机译:与NRD波导集成的光致太赫兹可变衰减器
机译:使用等离激元极化波导的热光可变光衰减器。
机译:基于远程表面等离激元-极化波导的柔性热光可变衰减器
机译:低弯曲损耗波导可实现紧凑,高效的3D光子芯片
机译:具有低弯曲损耗的深氧化物平面埋沟alGaas-Gaas量子阱异质结构波导