大光敏面硅光电探测器的制作方法

摘要

本发明公开了一种大光敏面硅光电探测器的制作方法，用于在N型高阻硅单晶衬底上制作大光敏面光电探测器。其特征在于：采用的N型高阻硅单晶片作衬底，分别用硼、磷杂质进行热扩散形成探测器的光敏区和光敏区周围的隔离二极管的两个P+N结和一个N+N结制作探测器管芯，金属化后的管芯烧压在两面都金属化的Al2O3陶瓷片上，再将陶瓷片烧结于管座上，管芯的两个正电极和一个公用负电极使用压焊工艺，与同管座绝缘的三个管脚相连，应用中隔离二极管的两电极经与探测器同样偏置后电学短路连接。与现有的大光敏面硅光电探测器相比，制作工艺简单、成品率高、成本低、高温热稳定性好、暗电流小、噪声低、工作电压低、探测灵敏度高、可靠性好、使用方便、灵活。