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用于高电流密度用途的多层碳基场发射电子装置

摘要

一种电子场发射装置,是通过将基材放入反应器中,加热所述基材并向所述反应器中供入氢和一种浓度约为8-13%含碳气体的混合物,同时向所述基材附近的气体混合物施加能量,持续足够的时间,以生长第一层碳基材料至厚度大于约0.5微米,接着降低所述含碳气体的浓度并继续生长第二层碳基材料,所述第二层较第一层更厚。接着从所述第一层除去基材,并将一个电极涂敷到所述第二层之上。所述装置是独立支撑的,它可作为一种冷阴极用于多种电子装置之中,如阴极射线管、放大器和行波管。基材的表面在所述第一层生长之前可进行图案加工,从而在所述场发射装置上形成一种具有图案的表面。

著录项

  • 公开/公告号CN1505827A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 尖端设备公司;

    申请/专利号CN00820055.6

  • 申请日2000-10-04

  • 分类号H01J9/02;H01J1/304;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人南静环

  • 地址 美国得克萨斯州

  • 入库时间 2023-12-17 15:22:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-05-30

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-08-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-16

    公开

    公开

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