法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/772 授权公告日:20060315 终止日期:20190729 申请日:20030729
专利权的终止
2017-11-17
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/772 登记生效日:20171030 变更前: 变更后: 申请日:20030729
专利申请权、专利权的转移
2006-03-15
授权
授权
2004-05-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-02-25
公开
公开
机译: 具有T形栅极和自对准LDD结构的场效应晶体管的制造方法(包括自对准轻掺杂漏极结构和T栅极的离子注入MESFET的制造方法)
机译: 用于调制掺杂场效应晶体管的增强型T栅极结构
机译: 用于调制掺杂场效应晶体管的增强型T栅极结构