法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B35/495 授权公告日:20041117 终止日期:20150704 申请日:20030704
专利权的终止
2013-11-13
专利权的转移 IPC(主分类):C04B35/495 变更前: 变更后: 登记生效日:20131022 申请日:20030704
专利申请权、专利权的转移
2004-11-17
授权
授权
2004-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-12-10
公开
公开
机译: BATI03基高介电常数陶瓷介质的制备方法
机译: 在陶瓷方法上以降低的73烧结温度形成高介电常数的陶瓷二烯的制备方法。电子本体的制造过程中,形成了一种陶瓷二烯容器,并形成了通过这些方法获得的陶瓷二烯或电子本体。
机译: 对由陶瓷基复合材料制成的部件进行激光打孔的方法,该方法包括开孔步骤和通过扩大激光束去除炉渣的步骤,通过该方法获得的固持物,由包含该基体的陶瓷基复合材料制成的部件和涡轮喷气包含这种成分