公开/公告号CN1450622A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN02106095.9
发明设计人 许淑雅;
申请日2002-04-10
分类号H01L21/76;
代理机构上海专利商标事务所;
代理人任永武
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
入库时间 2023-12-17 14:57:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-09-07
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2003-12-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-10-22
公开
公开
2002-07-03
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 减少浅沟槽隔离的侧壁氧化层的应力和侵蚀的方法
机译: 减小应力和侵蚀的浅沟槽隔离的侧壁氧化物层的形成方法
机译: 减少浅沟槽隔离的侧壁氧化层应力的方法