在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法

摘要

本发明提供一种在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法，包括下列步骤：在上述半导体基底表面形成第一介电层；以及在上述第一介电层上方形成第二介电层，以构成一复合介电层，其中上述第二介电层的介电常数(k)大于上述第一介电层的介电常数(k)，上述第二介电层的硬度大于上述第一介电层的硬度，并且上述第二介电层的厚度小于上述第一介电层的厚度。最好是重复第一介电层、第二介电层的堆叠2－3次。根据本发明的方法，能够避免在介电层中产生出气现象与破裂，并且，当内连导线间的电容必须缩小时，能够符合需求。