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用于控制等离子体体积的等离子体形成内磁桶的方法和设备

摘要

一种用于在处理室内处理衬底时控制等离子体体积的等离子体限定设备,包括处理室,在处理室在引发和保持用于处理的等离子体。处理室至少部分地由室壁限定,并还包括等离子体限定装置。等离子体限定装置包括围绕处理室内的等离子体区设置的多个磁元件。磁矩阵具有多个磁元件,该磁元件被围绕等离子区域设在处理室内。磁场在处理室内建立限定磁场,即一种“磁壁”。限定磁场可按预定方式移动,以改善衬底处理系统的操作,减少因等离子体与处理系统中的其他元件的相互作用引起的损害和/或清洁问题。通过移动磁矩阵中的磁元件实现限定磁场的移动。

著录项

  • 公开/公告号CN1432188A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰姆研究有限公司;

    申请/专利号CN01810242.5

  • 发明设计人 A·D·拜利三世;

    申请日2001-03-13

  • 分类号H01J37/32;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人肖春京;黄力行

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 14:48:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-05-10

    授权

    授权

  • 2003-10-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-23

    公开

    公开

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