能抑制光发射端面中漏电流的半导体激光器及制造方法

摘要

本发明涉及具有防护涂层的半导体激光器及其制造方法，具有高可靠性的防护涂层形成在端面上。根据本发明，在形成半导体激光器件的过程中，构图包括Au的电极以便使电极不存在于光发射端面附近。由此，即便当硅薄膜形成在光发射端面上时，也阻止硅薄膜与光发射端面接触。此外，构图电极后，在电极上形成绝缘薄膜(氮化硅膜)用于阻止在端面上的防护涂层中的Si与电极中的Au接触，即便当硅薄膜与电极表面接触时。