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公开/公告号CN1419700A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-05-21
原文格式PDF
申请/专利权人 艾纳尔杰纽斯公司;
申请/专利号CN01807214.3
发明设计人 邹秦;本·G·雅科比;哈里·尤金·鲁达;马克·法雷利;
申请日2001-03-01
分类号H01G4/12;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人王维玉
地址 加拿大安大略湖
入库时间 2023-12-17 14:44:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-08-20
发明专利申请公布后的视为撤回
2003-08-06
实质审查的生效
2003-05-21
公开
机译: 在金属箔上形成锆钛酸铅的复合电介质薄膜
机译: 金属箔上的铅酸锆钛酸盐介电薄膜复合材料
机译:氮退火对沉积在钛金属箔上的钛酸锆钛酸铅薄膜电性能的影响
机译:(La_(0.8),Sr_(0.2))MnO_3 /钛金属箔衬底异质结构对钛酸锆钛酸铅薄膜铁电和压电性能的影响
机译:改善铜基板上锆钛酸铅镧镧薄膜的介电性能
机译:用于嵌入式自由度的金属箔上的高介电常数PLZT薄膜
机译:锆钛酸铅镧铅薄膜的介电和铁电性质,用于电容储能。
机译:玻璃基板上纳米片缓冲的锆钛酸铅钛薄膜中大压电响应的调谐
机译:氧化层上的平面极化锆钛酸铅钛酸盐薄膜的介电特性
机译:在柔性显示器的塑料和金属箔上直接制造a-si:H薄膜晶体管阵列