首页> 中国专利> 用熔丝/抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器

用熔丝/抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器

摘要

一种一次性可编程(“OTP”)存储器包含一个或多个相互紧接着堆积的存储阵列(700)。OTP存储阵列(700)是一种交叉点阵列,其中单位存储单元(790)在交叉点形成。单位存储单元(790)可以包含相互串联的熔丝(230,330)和抗熔丝(280,380),或可以包含一种垂直取向熔丝(430,530)。编程存储器可以包含步骤:选择单位存储单元(790),施加写电压,这样跨过所选择的单元(790)发生电压降。这引起单元(790)的抗熔丝(280,380)击穿成低电阻。该抗熔丝(280,380)的低电阻引起高电流脉冲传递到熔丝(230,330),这本身又熔化熔丝(230,330)成开路状态。读取存储器可以包括步骤:选择要读取的单位存储单元(790),施加读取电压到所选择的存储器单元(790)和测量电流是否出现。等电位探测可以用来读取存储器。

著录项

  • 公开/公告号CN1405779A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 惠普公司;

    申请/专利号CN02128646.9

  • 发明设计人 L·T·特兰;T·C·安索尼;F·A·佩纳;

    申请日2002-08-09

  • 分类号G11C16/02;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人吴立明;梁永

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 14:40:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-10-07

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-07-09

    授权

    授权

  • 2004-06-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-03-26

    公开

    公开

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