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超高介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料及其制备方法

摘要

本发明公开了属于陶瓷材料制备技术的一种超高介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料及制备方法。该材料的主要成份为钛酸钡、金属粉、以氧化钴和氧化铌及稀土氧化物的二次添加剂。采用固相合成法及化学合成法制备钛酸钡,并与金属粉、二次添加剂混合,加压成型,烧结成为多层陶瓷电容器材料。制备工艺中无需加入助烧剂,可以显著降低合成及烧成温度。材料的室温介电常数可以控制在4000和42000之间,容温变化率≤±15%。烧结温度可控制在1280℃以下。是具有广泛应用前景的高性能的多层陶瓷电容器材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1397957A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN02125720.5

  • 申请日2002-08-14

  • 分类号H01B3/12;H01G4/12;C04B35/468;C04B35/622;

  • 代理机构北京贝腾特专利事务所;

  • 代理人赵天真

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2023-12-17 14:36:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B3/12 授权公告日:20041020 终止日期:20170814 申请日:20020814

    专利权的终止

  • 2004-10-20

    授权

    授权

  • 2003-05-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-19

    公开

    公开

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