具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法

摘要

一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，它包括：一第一介电层形成于具有一第一导电性的一半导体基底上，一第一导电层形成于第一介电层上，一第二介电层形成于第一导电层上，其中第二介电层依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层及一第二二氧化硅层于第一导电层上而形成；一第二导电层形成于第二介电层上；图案蚀刻第一介电层、第一导电层、第二介电层及第二导电层，以形成一第一闸极介电层、一浮动逻辑闸极、一第二闸极介电层及一控制闸极；最后，形成具有电性相反于第一导电性的一第二导电性的一漏极/源极于浮动逻辑闸极一侧的半导体基底中。