公开/公告号CN1384535A
专利类型发明专利
公开/公告日2002-12-11
原文格式PDF
申请/专利权人 晶研科技股份有限公司;
申请/专利号CN01115624.4
申请日2001-04-28
分类号H01L21/3105;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/312;
代理机构上海智信专利代理有限公司;
代理人高存秀
地址 台湾新竹市科学工业园区工业东九路5号之2一楼
入库时间 2023-12-17 14:36:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-08-24
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2004-04-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-12-11
公开
公开
机译: 具有多面体低聚倍半硅氧烷的介电常数小的介电材料和使用该介电材料的介电常数非常小的介电薄膜的制造方法
机译: 具有多面体低聚倍半硅氧烷的介电常数小的介电材料和使用该介电材料的介电常数非常小的介电薄膜的制造方法
机译: 蚀刻方法是介电常数介电膜的低制造方法,多孔性成分的制造方法以及蚀刻装置和薄膜制造装置