首页> 中国专利> 交叉点二极管存储阵列寻址制造技术

交叉点二极管存储阵列寻址制造技术

摘要

通过在由半导体材料层隔开的两个电极导线层的交叉点处建立电路元件来形成存储阵列及其寻址电路。在交叉点处形成的电路元件作为存储阵列的数据存储器件,并且作为用于对阵列中的元件寻址的置换寻址方案的连接线。为了形成寻址电路,在所选的交叉点处这样构成电极导线、使得所选择的电路元件具有增大或减少的截面积。通过对所述电极施加编程的电信号,可以使所选电路元件的电特性(例如电阻)根据所控制的电极几何结构而改变。

著录项

  • 公开/公告号CN1389919A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 惠普公司;

    申请/专利号CN02122814.0

  • 发明设计人 C·陶西格;R·埃尔德;

    申请日2002-06-05

  • 分类号H01L27/04;H01L23/52;H01L21/82;G09G3/20;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨凯;张志醒

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 14:36:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-30

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/10 变更前: 变更后: 登记生效日:20110222 申请日:20020605

    专利申请权、专利权的转移

  • 2006-07-05

    授权

    授权

  • 2004-08-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-08

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号