公开/公告号CN1386640A
专利类型发明专利
公开/公告日2002-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 国际联合科技股份有限公司;
申请/专利号CN01119517.7
申请日2001-05-18
分类号B41J2/175;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陈小雯
地址 台湾省台北市
入库时间 2023-12-17 14:32:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-07-19
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-12-01
授权
授权
2003-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-12-25
公开
公开
2001-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 具有在含氮气氛中热处理,氧掺杂处理和在含氧气氛中热处理的步骤的半导体器件的制造方法
机译: 半导体,特别是高压晶体管的组成部分,其承载一层硅以掺杂表面的氧气或氮气。
机译: 通过空气的低温分离生产至少一种气态高压流体,例如氧气,氮气或氩气的方法和设备