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采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备

摘要

将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶(51)上溅射出来,利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化,射频耦合能量来自线圈(65),线圈(65)位于真空室(31)外面、绝缘窗(61)后面,真空室壁面(32)上的绝缘窗(61)位于溅射靶(51)的开口(58)的中央位置。真空室的压强为10-100毫乇。磁桶(20)由永磁铁(23)所组成的磁铁阵列(22)形成,在真空室壁面(32)后面,产生一个多磁力线交点的磁场,推斥来自等离子体、朝着真空室壁面(32)方向运动的带电粒子,从而,增强了对等离子体的约束,提高了等离子体密度、等离子体的均匀性及涂敷材料的离子化比例。

著录项

  • 公开/公告号CN1341159A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京电子有限公司;

    申请/专利号CN00803981.X

  • 发明设计人 米尔科·武科维奇;

    申请日2000-02-02

  • 分类号C23C14/35;H01J37/34;H01J37/32;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人蹇炜

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 14:15:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/35 授权公告日:20040623 终止日期:20160202 申请日:20000202

    专利权的终止

  • 2004-06-23

    授权

    授权

  • 2002-03-20

    公开

    公开

  • 2002-03-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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