在半导体晶体生长工艺中控制锥体生长的方法与系统

摘要

根据锥体斜率控制半导体单晶锥体部分生长的方法与系统。晶体驱动单元按照目标提拉速率使生长的晶体从熔体拉出,其目标提拉速率基本上遵从生长锥体的起始速度分布。控制器计算作为晶体直径对于晶体长度变化而改变的函数的目标斜率的测量值。然后控制器产生作为锥体斜率测量值与目标锥体斜率之差的函数的误差信号,从而对晶体驱动单元提供作为误差信号函数的提拉速率修正值。接下来,晶体驱动单元根据提拉速率修正值来调节提拉速率,以减小锥体斜率测量值与目标锥体斜率之差。目标锥体斜率被定义为一函数,它包含一个通常的指数部分和一个通常的线性部分。