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高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法

摘要

一种根据直拉法由不同大小的固体多晶硅源材料形成单晶硅锭的改进方法。该方法包括根据大小将每个源材料块分类,并将源材料块放到坩埚中,在坩埚中形成料堆。料块一般放置在坩埚内至少三个根据料块大小分类预选的区域内。坩埚内的料堆,在惰性环境下,升高的温度下,熔化形成熔化的源材料,然后,使坩埚和熔化的源材料的温度稳定到适于晶体生长的平衡温度。根据直拉法,从熔化的源材料中提拉单晶硅锭。另一方面,在坩埚内的环境压力高于实施温度稳定化的步骤的环境压力同时,实施熔化源材料料堆的步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN1333844A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;

    申请/专利号CN99815584.5

  • 发明设计人 J·D·霍尔德;H·斯利德哈勒莫西;

    申请日1999-12-16

  • 分类号C30B15/02;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人段承恩

  • 地址 美国密苏里

  • 入库时间 2023-12-17 14:06:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-09-07

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2002-01-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-01-30

    公开

    公开

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