法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/66 授权公告日:20040609 终止日期:20151217 申请日:19991217
专利权的终止
2004-06-09
授权
授权
2000-08-30
公开
公开
2000-08-02
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: -在绝缘体SOI逻辑电路上的动态互补氧化物半导体CMOS硅中测量设置测试的方法和设备
机译: -在绝缘体SOI逻辑电路上的动态互补氧化物半导体CMOS硅中测量设置测试的方法和设备
机译: 在绝缘体(soi)逻辑电路上的动态互补氧化物半导体(cmos)硅中测量设置测试的方法和设备