用于增强半导体化学－机械抛光过程中金属去除率的方法

摘要

一种用于在CMP期间增强金属阻挡层去除率的方法,它包括提供具有绝缘体层、在至少一部分绝缘体层上所形成的金属阻挡层和其上所形成的导电层的半导体晶片,并使该半导体晶片与含有增强金属去除量的至少一种螯合剂的化学－机械抛光浆进行接触。