从硅中去除铜及其它金属杂质的工艺

摘要

一种从未制作布线图案的硅晶片中去除金属杂质的工艺。在该工艺中,晶片的退火是将其浸入已加热到至少约125℃温度的酸溶液、保持至少0.1小时,以使金属扩散至晶片表面。当扩散金属到达晶片表面时,被酸溶液所氧化、配合,并从晶片表面去除。