用于建立差别注入条件的方法

摘要

一种方法,其用于通过差别地把离子注入到晶片,建立使表示MOSFET的性能的指数在许可范围内的条件。该方法包括如下步骤:对于结深度作一条表示能量污染量的曲线,以及确定对于所需结深度的许可能量污染量。通过参照该曲线可以获得基本上没有性能下降的MOSFET。并且建立射束线路的真空度和/或路程。