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公开/公告号CN101152955B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 富士通株式会社;
申请/专利号CN200710161860.3
发明设计人 高马悟觉;水野义博;奥田久雄;曾根田弘光;松本刚;壶井修;佐胁一平;
申请日2007-09-24
分类号
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人张龙哺
地址 日本神奈川县川崎市
入库时间 2022-08-23 09:11:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-10
授权
2008-05-28
实质审查的生效
2008-04-02
公开
机译: 制造微结构器件的方法以及由该微结构器件制造的微结构器件
机译: 形成半导体微结构的方法,使用该方法制造的半导体器件,用于制造谐振隧道器件的方法以及通过该方法制造的谐振隧道器件
机译:硅中深度激光光刻制造的片式微结构和光子器件
机译:飞秒激光内部制造的三维微结构器件
机译:基于氢化非晶硅锗薄膜的微结构的制造工艺,用于MEMS器件
机译:具有功能微结构的玻璃光学器件的复制制造
机译:薄膜的微制造:从可拉伸的射频电子设备,可生物降解的柔性电子器件,微结构脚手架
机译:硅内部深处的非线性激光光刻制造的芯片内微结构和光子器件
机译:片内微结构和非线性制造的光子器件 激光光刻深入硅内部
机译:衬底和浓度对CuInse2pV器件器件性能,结形成和薄膜微结构的影响