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纳米氧化铟介孔组装体系及其制备方法

摘要

本发明涉及纳米氧化铟(In2O3)介孔组装体系的制备方法。本发明通过浸泡、热分解硫酸铟的方法,制得了In2O3颗粒细小、尺寸均匀(直径约2—8nm)、高度弥散分布于介孔固体的孔中,且复合量可控的纳米In2O3介孔组装体系。本发明开发了In2O3材料的新性能,该组装体系荧光截然不同于In2O3薄膜、可在近紫外到整个可见光区域宽频带范围内任意调控。该体系在微电子、光电、敏感器件等领域有广阔的应用前景,并为半导体量子器件、量子点发光器件的研制奠定了基础。

著录项

  • 公开/公告号CN1225898A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1999-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院固体物理研究所;

    申请/专利号CN99114003.6

  • 发明设计人 周慧娟;蔡伟平;张立德;

    申请日1999-01-04

  • 分类号C01G1/02;C01G15/00;C09K11/62;H01L31/0264;

  • 代理机构34001 中国科学院合肥专利事务所;

  • 代理人周国城

  • 地址 230031 安徽省合肥市1129信箱

  • 入库时间 2023-12-17 13:25:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2002-04-17

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1999-08-18

    公开

    公开

  • 1999-07-21

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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