公开/公告号CN1221124A
专利类型发明专利
公开/公告日1999-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN98120354.X
申请日1998-09-03
分类号G02F1/136;G09G3/18;G09G3/36;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张志醒;王忠忠
地址 日本神奈川县
入库时间 2023-12-17 13:21:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F1/136 授权公告日:20040324 终止日期:20170903 申请日:19980903
专利权的终止
2004-03-24
授权
授权
2000-11-08
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-06-30
公开
公开
机译: 用于掩模坯料的透明基板的制造方法,掩模坯料的制造方法,曝光掩模的制造方法,半导体器件的制造方法,液晶显示器件的制造方法以及曝光掩模的缺陷校正方法
机译: p型氧化物,用于该组合物的p型氧化物的生产,p型氧化物的制造方法,半导体器件,显示器件,图像显示器件和系统
机译: 设计数据或掩模数据的校正方法和校正系统,设计数据或掩模数据的验证方法和验证系统,半导体集成电路的成品率估计方法,改进设计规则的方法,掩模生产方法和半导体集成电路生产方法