具有使电特性发生变化的电路的半导体存储器

摘要

在半导体存储器100中,将特性变化电路(51)连接到传送输出控制信号(OEM)的信号线(31)上。如果熔丝熔断正常,则熔丝(F1)与冗余性置换用的未图示的熔丝一起被熔断,如果熔丝熔断不正常,则不被熔断。在熔丝熔断不正常时,根据晶片测试控制信号(WT),信号线(31)的电位变成接地电位(VSS)电平。其结果,输出控制信号(OEM)固定为L电平,数据输入输出端子(DQi)的电位成为高阻抗状态。