公开/公告号CN1216635A
专利类型发明专利
公开/公告日1999-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 3C半导体公司;
申请/专利号CN97193978.0
发明设计人 詹姆斯·D·帕森斯;
申请日1997-03-04
分类号H01L21/283;H01L21/338;H01L29/161;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/73;H01L29/812;
代理机构柳沈知识产权律师事务所;
代理人陶凤波
地址 美国俄勒冈州
入库时间 2023-12-17 13:17:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-04-02
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
1999-05-19
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-05-12
公开
公开
机译: Os整流SiC上的肖特基和欧姆结以及W / WC / TiC欧姆接触
机译: SiC上的OS整流肖特基和欧姆结以及w / wc / tic欧姆接触
机译: SiC中的Os整流肖特基和欧姆连接以及W / WC / TiC欧姆接触