首页> 中国专利> 碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触

碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触

摘要

SiC上的金属锇(β或γ)形成一接触。该接触牢牢地固定在SiC表面上,并形成一有效阻挡,以防止来自导电金属的扩散。在n-型SiC(12)上,Os(20)形成一陡变肖特基整流结和肖特基二极管,前者具有到至少1050℃下仍保持不变的操作性能,后者到1175℃下仍可操作,并且阻挡高度大于1.5eV。在P-型SiC上,Os形成一具体接触电阻小于10

著录项

  • 公开/公告号CN1216635A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1999-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 3C半导体公司;

    申请/专利号CN97193978.0

  • 发明设计人 詹姆斯·D·帕森斯;

    申请日1997-03-04

  • 分类号H01L21/283;H01L21/338;H01L29/161;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/73;H01L29/812;

  • 代理机构柳沈知识产权律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 美国俄勒冈州

  • 入库时间 2023-12-17 13:17:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2003-04-02

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1999-05-19

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-05-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号