显微结构及该结构的制造方法

摘要

一种半导体制造方法,包括:在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构;在其表面沉积流动性的牺牲材料,其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构;在第二结构表面沉积非牺牲材料,其与第二结构的表面形貌一致,非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面;选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料,以形成具有水平组件的第三结构,且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。