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公开/公告号CN1178999A
专利类型发明专利
公开/公告日1998-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 特克特朗尼克公司;
申请/专利号CN97118511.5
发明设计人 J·S·慕雷;W·W·斯泰恩;D·E·克法尔特;
申请日1997-08-16
分类号H01J29/04;H01J9/12;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人萧掬昌;王忠忠
地址 美国俄勒冈州
入库时间 2023-12-17 13:04:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2004-08-11
发明专利申请公布后的视为撤回
1999-11-17
实质审查请求的生效
1998-04-15
公开
机译: 直流等离子体寻址结构中用于阴极电极的电子发射增强的耐溅射导电涂层
机译:直流磁控溅射制造的具有铝阴极的有机发光二极管的耐等离子体结构:使用掺锂的电子传输层
机译:具有高二次电子发射氧化物阴极的直流放电:气体压力和氧化物阴极结构的影响
机译:反应性直流磁控溅射增强基于MgO涂层的TiO2电极的染料敏化太阳能电池
机译:中空阴极溅射直流等离子体磁控管溅射对平板玻璃生长薄膜阳极效应的影响及不同条件下锌膜溅射铜膜的光学性能研究
机译:通过活性直流磁控溅射合成具有增强的光活性和红移光响应的混合相二氧化钛纳米复合材料。
机译:从ITO废料中重复使用的ITO纳米颗粒及其在用于透明导电电极层的溅射靶中的应用
机译:离子等离子体沉积过程中气体压力在M涂层微结构期间的影响及分子溅射沉积氧化物阴极的发射特性
机译:在导电多孔体中制备镍涂层的方法,特别是用于电池电极