具有减少栅极耗尽的掺杂栅极电极的FET及形成该FET的方法

摘要

一种通过先在漏极和源极区域(208)定义前形成注入屏蔽(220)，可有效地独立将栅极掺杂物浓度与漏极和源极的掺杂物浓度。除此的外，在注入屏蔽(220)移除后，栅极电极的横向大小可由已为现有的侧壁间格层(207)技术来定义，提供一个相对于基于光微影技术和非等向蚀刻的传统方法更为缩减尺寸的优势。