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使非平面层平面化的方法

摘要

一种使非平面层平面化的方法,包括下列步骤:(a)在非平面上面形成第一层;(b)在介电层的上面加播种层;(c)在播种层的上面形成光刻胶层;(d)使光刻胶层的一些部分形成图案且将其部分地去除,由此使播种层的上表面的一些部分暴露出;(f)去除剩余的光刻胶层直到位于其下的播种层被暴露出来;(g)以下述方式去除仍残留的光刻胶部分、突出在介于导电层之间的播种层和第一层的部分,也即,使第一层中的突起完全被作;以及(h)去除导电层及其下面的播种层。

著录项

  • 公开/公告号CN1151609A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1997-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大宇电子株式会社;

    申请/专利号CN96120117.7

  • 发明设计人 卢载遇;

    申请日1996-09-28

  • 分类号H01L21/00;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人甘玲

  • 地址 韩国汉城

  • 入库时间 2023-12-17 12:56:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2003-01-08

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1999-01-20

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1997-06-11

    公开

    公开

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