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晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件

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摘要

一种晶体生长方法，包括一个将三种材料，其中一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，分别填入各自喷射室的步骤以及一个通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长Zn

1. 晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件 [P] . 中国专利： CN1109111A . 1995-09-27
2. 半导体器件的制造方法、半导体器件以及半导体晶体生长衬底 [P] . 中国专利： CN103367112A . 2013-10-23
3. CRYSTAL GROWTH METHOD, CRYSTAL GROWTH APPARATUS, STACKING TYPE CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CRYSTAL THIN FILM PRODUCED BY THESE METHOD AND APPARATUS [P] . 日本专利： JP2009062231A . 2009-03-26

机译：晶体生长方法，晶体生长设备，堆叠式晶体生长设备以及具有通过这些方法和设备生产的晶体薄膜的半导体器件
4. HETERO EPITAXIAL GROWTH METHOD, HETERO EPITAXIAL CRYSTAL STRUCTURE, HETERO EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JP2010232623A . 2010-10-14

机译：异质外延晶体生长方法，异质外延晶体生长装置，异质外延晶体生长装置和半导体器件
5. CRYSTAL GROWTH METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND HIGH-PRESSURE DEVICE USED FOR IMPLEMENTATION OF THE CRYSTAL GROWTH METHOD [P] . 日本专利： JP2012031046A . 2012-02-16

机译：晶体生长方法，制造半导体器件的方法以及用于实施晶体生长方法的高压器件