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公开/公告号CN1093419A
专利类型发明专利
公开/公告日1994-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN93112391.7
发明设计人 沈定中;殷之文;袁湘龙;洪虹;张黎星;李培俊;
申请日1993-04-05
分类号C30B11/02;C30B29/12;
代理机构中国科学院上海专利事务所;
代理人聂淑仪
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-12-17 12:31:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1996-09-25
专利申请的视为撤回
1994-10-12
公开
1993-09-15
实质审查请求的生效
机译: 在硅衬底上生长高质量ZnSe外延层的新技术
机译: 氟硼酸铅-二氧化铅电池-通过阳极氧化在阳极上生长二氧化铅晶体,提高了放电电流稳定性
机译: 高质量生长大尺寸单晶的方法
机译:Ba_(1-x)Sr_xB_2O_4(x = 0.006-0.13)固溶体的高质量大尺寸紫外双致冷晶体的生长和光学性质
机译:生长高质量大尺寸LBO晶体以产生高能二次谐波
机译:高质量大尺寸β-BaB_2O_4晶体的生长
机译:在具有缓冲多孔硅层的硅上生长的高质量碲化铅薄膜
机译:通过新颖的氟硅烷气体化学技术,为下一代大功率电子产品提供高质量的碳化硅外延生长。
机译:铜薄膜辅助大尺寸晶体MoS2的可控生长和无抗蚀剂转移
机译:氧氟氟玻璃陶瓷中五折孪晶β-PBF2纳米晶体
机译:大尺寸碘化钠晶体闪烁体的生长与制备