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公开/公告号CN1092925A
专利类型发明专利
公开/公告日1994-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 万来;
申请/专利号CN93120032.6
发明设计人 万来;
申请日1993-12-16
分类号H04N5/44;G08C19/00;
代理机构
代理人
地址 100046 北京市木樨地24号楼512号
入库时间 2023-12-17 12:27:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2000-05-31
专利申请的视为撤回
1997-01-15
实质审查请求的生效
1994-09-28
公开
机译: 扫描测试电路的设计方法,扫描测试电路的设计方案以及半导体集成电路
机译: 待机泄漏电流降低电路和包括该待机泄漏电流降低电路的半导体存储装置
机译:欧盟通过生态设计方案限制了待机模式下的电器能耗
机译:低待机功率HfSiON晶体管设计方案,可确保65 nm节点及以后的性能和与时间有关的介电击穿寿命
机译:使用自调节电压电平电路的纳米级静态CMOS VLSI乘法器电路的待机泄漏功率降低
机译:具有不确定待机状态的异步电路的待机功耗降低技术
机译:纳米级CMOS电路中降低待机泄漏功率的方法。
机译:具有混合气动压电驱动的遥控系统用于MRI引导针插入触觉反馈
机译:为印刷电路板上的电子电路功能单元选择最佳设计方案
机译:多阈值互补金属氧化物半导体(mTCmOs)总线电路和通过脉冲待机开关降低总线功耗的方法。