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半导体存储器件应力状态的自动测试设备

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摘要

一种高集成度的半导体存储器件，配备有一个无需从外部加应力电压就可设定应力测试状态的设备。当外电源电压提高得超过应力电压时，大幅度提高内电源电压就可设定应力状态的触发时刻Ts。

1. 半导体存储器件应力状态的自动测试设备 [P] . 中国专利： CN1069821A . 1993-03-10
2. 半导体存储器件的延迟电路和半导体存储器件 [P] . 中国专利： CN107527647B . 2021.04.20
3. X-ray detector, semiconductor memory device including the same, method of testing semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device [P] . US10984853B2 . 2021-04-20

机译： X射线检测器，半导体存储器件，包括该半导体存储器件，测试半导体存储器件的方法和制造半导体存储器件的方法
4. Semiconductor memory device, a method of manufacturing a semiconductor memory device, method of reading a semiconductor memory device and write method of the semiconductor memory device [P] . 日本专利： JPWO2008035432A1 . 2010-01-28

机译：半导体存储器件，制造半导体存储器件的方法，读取半导体存储器件的方法以及该半导体存储器件的写入方法
5. A method of manufacturing a semiconductor memory device, semiconductor memory device structure, a semiconductor memory device, and a method of operating a semiconductor memory device [P] . 日本专利： JP2005503040A . 2005-01-27

机译：制造半导体存储器件的方法，半导体存储器件结构，半导体存储器件以及操作半导体存储器件的方法