中子照像闪烁增强屏

摘要

利用小型密封中子源实现中子照像，是许多先进国家广泛采用的技术。由于小型中子源的源弱、引出中子束强度低，因此必须选用高灵敏度的中子转换显示装置。本发明是这样实现的，选用浓缩6LiF为反应材料；ZnS(Ag)为荧光材料，其特征是长余辉，中心粒度7μm；高分子聚合物EvA做粘结剂，6LiF∶ZnS(Ag)∶EvA＝1∶4.5∶1.25。将混合好的料在混炼机中加温至130—200℃混合均匀后，用模具压制而成。该屏的固有分辨率、相对黑度等主要性能优于英国研制的NE426屏。