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碘酸钾单晶的单畴化方法

摘要

本发明给出了一种碘酸钾单晶的单畴化和去孪晶的方法。将碘酸钾晶体放入极化炉的硅油中,给晶体加热、加电场,或给晶体加热、加电场和加压力,在相变点72℃或212℃附近采用“温度振荡法”来消除晶体的孪晶和多畴结构(温度振荡范围为65℃-85℃或200℃-235℃),从而可获得光学均匀性好,满足光学器件制作要求的单畴碘酸钾晶体。本发明方法简便,易于操作。

著录项

  • 公开/公告号CN1059570A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1992-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN91109478.4

  • 申请日1991-10-10

  • 分类号C30B33/04;C30B33/02;

  • 代理机构四川大学专利事务所;

  • 代理人刘双兰

  • 地址 610064 四川省成都市九眼桥四川大学

  • 入库时间 2023-12-17 12:14:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1994-04-20

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1992-03-18

    公开

    公开

  • 1992-02-26

    实质审查请求已生效的专利申请

    实质审查请求已生效的专利申请

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