至少包括一个双极平面型晶体管的单块集成电路的制造方法

摘要

在本发明方法中发射极区(6)和集电极区分别被氧化掩蔽层部分(71、72)以一般的方式覆盖。在注入基区导电类型离子之后，用热氧化法在(6)周围形成氧化条(21)。在去除(71、72)之后，淀积至少由一个顶层(10)和下面的掺杂层(9)组成的顺序层(9、10)。采用一种被掩蔽的各向异性刻蚀工序并通过(21)，(9、10)被分成发射极(61)和集电极(32)，在上述电极的外部，扩散发射区(4)与集电极接触区(31)。