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公开/公告号CN1031779A
专利类型发明专利
公开/公告日1989-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中山大学;
申请/专利号CN87105565.1
发明设计人 苏子敏;彭少麒;
申请日1987-08-12
分类号H01L31/00;
代理机构中山大学专利事务所;
代理人叶贤京
地址 广东省广州市新港西路
入库时间 2023-12-17 12:02:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1990-01-03
授权
1989-04-12
审定
1989-03-15
公开
1988-03-02
实质审查请求
机译: 监视支持元件应变,以确定位置敏感器件组件之间的实时位置关系
机译: 具有非晶硅硅光电导层的光接收元件,该非晶硅硅光电导层包含氟原子的含量为1至95原子ppm
机译:基于光电探测器阵列的CMOS兼容位置敏感器件(PSD)
机译:网状高速硅光学位置敏感器件的设计与性能
机译:网格型高速光学位置敏感器件(MEPSD)的设计优化分析
机译:插值硅光倍增器:一种新型位置敏感器件,具有亚丘空间分辨率和互动能力深度
机译:用于非晶硅太阳能电池中光管理和增强吸收的光子晶体后向反射器
机译:通过热退火和污点蚀刻从非晶硅膜制备的纳米晶硅的高效可见光
机译:实时处理器LDV信号具有声光偏转器和位置敏感器件
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟