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CMOS-compatible position-sensitive devices (PSDs) based on photodetector arrays

机译:基于光电探测器阵列的CMOS兼容位置敏感器件(PSD)

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摘要

This paper reports five different constructions of optical position-sensitive devices (PSDs) implemented using standard CMOS technology. It is found that despite the non-idealities of CMOS-compatible photodetectors, CMOS technology provides a means of implementing PSDs with relatively high performance. This can be achieved, for example, by using an array of discrete photodetectors instead of the continuous single element structure used in conventional lateral effect PSDs (LEPs). The results show that, relative to a conventional LEP manufactured with dedicated technology, the linearity of an array-type two-axis CMOS PSD can be two to eight times better, and that its precision in low bandwidth (<10 kHz) applications can be 1.4 to 40 times better. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 22]
机译:本文报告了使用标准CMOS技术实现的五种不同的光学位置敏感器件(PSD)结构。已经发现,尽管CMOS兼容的光电检测器不理想,但是CMOS技术提供了一种实现具有相对较高性能的PSD的方法。例如,这可以通过使用离散光电探测器的阵列代替常规横向效应PSD(LEP)中使用的连续单个元件结构来实现。结果表明,相对于采用专用技术制造的传统LEP,阵列型两轴CMOS PSD的线性度可以提高2到8倍,并且在低带宽(<10 kHz)应用中的精度可以达到2倍。好1.4至40倍。 (C)2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考:22]

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