公开/公告号CN111585557A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;
申请/专利号CN202010025166.4
发明设计人 J·C·J·杰森斯;
申请日2020-01-10
分类号
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人张玮
地址 美国亚利桑那州
入库时间 2023-12-17 11:49:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
公开
公开
机译: 样品和保持集成电路,样品和保持电路中的补偿泄漏的方法以及在集成电路中使用的采样电路
机译: 集成电路稳态触发级-在电源晶体管的栅极电路中具有两组并联的泄漏补偿IGFET
机译: 具有向衬底的低泄漏电流的横向双极型晶体管,相应的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法