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Sigmoid函数电路及神经元电路

摘要

本发明公开了一种Sigmoid函数电路及神经元电路,包括输入端;输出端;Sigmoid拟合函数单元,其被配置为基于Sigmoid拟合函数将所述输入端的信号传递至所述输出端,所述Sigmoid拟合函数单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管,第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。本发明的Sigmoid函数电路及神经元电路,sigmoid函数与理想sigmoid函数的最大误差不超过1.76%,具有精度高、结构简单、输入范围大、占用芯片面积小的技术优势。

著录项

  • 公开/公告号CN111600595A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN202010514267.8

  • 发明设计人 吴晨健;邢世威;

    申请日2020-06-08

  • 分类号H03K19/0185(20060101);

  • 代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人殷海霞

  • 地址 215000 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号

  • 入库时间 2023-12-17 11:49:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    公开

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