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采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC及相关方法

摘要

本公开涉及采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)及相关方法。公开了采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)。还公开了相关的方法。具体而言,金属层中的不同金属线可能需要在IC的MOL工艺期间被电互连。为了允许金属线被电互连而无需在金属线上方提供可能难以在例如印刷工艺中提供的此类互连,在一示例性方面中,延长或展开的通孔被提供在IC中的MOL层中。延长通孔被提供在MOL层中在该MOL层中的金属层下方并跨该MOL层的金属层中的两个或更多个毗邻金属层延伸。将互连移动到MOL层上方可简化IC的制造,特别是在低纳米(nm)节点尺寸下。

著录项

  • 公开/公告号CN111584459A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN202010476256.5

  • 申请日2015-08-24

  • 分类号H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L27/02(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈炜;唐杰敏

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 11:45:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    公开

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