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公开/公告号CN111600552A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010333784.5
发明设计人 王向展;吴锦帆;陈玉翔;唐周全;于奇;
申请日2020-04-24
分类号
代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙);
代理人李凌峰
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-17 11:45:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-28
公开
机译: 可重新配置的功率放大器用于移动电话的AB类功率放大器,具有带有偏置电路的CPU,该偏置电路可适应于导频和功率级的增益,从而为修改的压缩点提高级的功率附加效率
机译: 具有高线性度和功率附加效率的射频功率放大器模块及实现方法
机译:用于2 GHz功率放大器的沟槽式LDMOSFET(TS-LDMOS)结构
机译:偏置史密斯管的漏极电压和负载反射系数优化,以在ACPR约束下最大化雷达功率放大器的功率附加效率
机译:用于2 GHz功率放大器的新型RF LDMOS结构具有更高的功率附加效率
机译:用于无线通信的基于LDMOS的RF功率放大器的非线性。
机译:基于热阻传感器的LDMOS通道温度计用于平衡单片功率IC中的温度
机译:非线性嵌入设计方法面向LDMOS功率放大器
机译:线性分布式GaN mmIC功率放大器,具有更高的功率附加效率。