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LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法

摘要

本发明涉及LDMOS功率放大器技术。本发明解决了现有提取不同LDMOS器件结构的功率附加效率指标的仿真方法精度不高且较为复杂的缺点,提供了一种LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法,其技术方案可概括为:将现有的固定偏置电压替换为固定偏置电流,而对于不同的器件结构,在固定偏置电流条件下,其端口阻抗基本不变,因而采用统一的匹配电路即可完成不同器件结构的LDMOS功率放大器的搭建。本发明的有益效果是,提升效率指标的仿真精度,有效降低了匹配电路的设计次数,适用于LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真。

著录项

  • 公开/公告号CN111600552A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010333784.5

  • 申请日2020-04-24

  • 分类号

  • 代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙);

  • 代理人李凌峰

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 11:45:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    公开

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