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具有互补单元结构的差分放大器

摘要

本公开的某些方面通常涉及一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管的第二对晶体管。第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极可以被耦合到差分放大器的相应差分输入节点,并且第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极可以被耦合到差分放大器的相应差分输出节点。在某些方面中,差分放大器可以包括偏置晶体管,该偏置晶体管具有被耦合到第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极,并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。

著录项

  • 公开/公告号CN111527694A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201880083615.1

  • 发明设计人 R·卡马克;范斌;

    申请日2018-12-21

  • 分类号H03F3/45(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人董莘

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 11:45:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

    公开

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